Компания Qualcomm на саммите Snapdragon Technology официально анонсировала новое поколение флагманских чипсетов Snapdragon 835. Об этом сообщает издание Engadget.
Точные характеристики не представлены, но в настоящее время известно, что новинка будет на 27% производительнее и на 40% снизится энергопотребление.
Также в Snapdragon 835 будет применена технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, позволяющая зарядить устройство в 2,5 раза быстрее.
Официально было подтверждено участие в проекте компании Samsung. Именно она будет производить новинку. Особенностью архитектуры нового чипсета являются то, что он будет построен по 10-нм техпроцессу FinFET.
Компания Qualcomm пообещала раскрыть все характеристики в первых числах января. Ожидается, что устройства на базе Snapdragon 835 начнут поступать на рынок в начале 2017 года.
Ранее сообщалось, что Qualcomm намерена совершить крупнейшую сделку в области микрочипов.